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專訪華興激光:高端InP外延片系列亮相 緊隨光電行業發展趨勢

摘要:華興激光隆重展出了一系列磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)化合物半導體外延片產品,伴隨著光通信、光電子器件應用朝高速率、高性能方向持續演進,公司在高速率、高端光電應用方面的光電子外延片產品上緊隨市場需求,并實現了諸多技術創新突破。

  ICC訊 9月6-8日,CIOE2023期間,專注于光通信激光外延片、大功率激光外延片、光探測外延片、外延與工藝代工服務、多次外延生長、MOCVD Zn擴散、光柵加工(全息和EBL)、光電材料表征的化合物半導體外延材料供應商江蘇華興激光科技有限公司(簡稱華興激光)隆重展出了一系列磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)化合物半導體外延片產品,公司展臺獲得現場客戶的高度關注。

華興激光展臺

  華興激光銷售總監孫增輝博士向訊石介紹,本次華興激光展出的2.5G/10G FP/DFB激光外延片系列可作為光通信寬帶網絡基礎設施建設、光纖到戶、數據中心光互聯、移動基站等應用場景的關鍵光電芯片材料。伴隨著光通信、光電子器件應用朝高速率、高性能方向持續演進,公司在高速率、高端光電應用方面的光電子外延片產品上緊隨市場需求,并實現了諸多技術創新突破。

  公司在本次展會重點展示產品包括2.5G DFB/FP激光外延片、18波10G DFB激光外延片、25G DFB激光外延片、25G/50G EML外延片和硅光用大功率DFB外延片。其中2.5G DFB和10G DFB激光外延片的閾值電流8mA,邊模抑制比>38dB;25G DFB激光外延片3dB帶寬21GHz@25°C/16GHz@85°C;50GEML外延片3dB帶寬可達到45GHz@45°C;此外,硅光應用的大功率DFB外延片閾值電流20mA,峰值功率大于100mW,滿足硅光芯片需求。

華興激光半導體外延片產品

  此外,華興激光還展出了光傳感應用的半導體外延片產品(DFB/VCSEL/APD/SPAD),該系列涵蓋0.76微米、0.94微米、1.06微米、1.53微米、1.65微米等波段,可應用于3D成像及氧氣、氨氣、甲烷等氣體的高精度檢測。華興激光基于技術團隊在半導體光電材料領域多年的技術積累以及現有的設備平臺,可為企業、高校、科研院所提供半導體光電外延材料的全方位代工服務,涵蓋光電外延片結構設計、材料外延、光柵制作、測試分析等方面,為客戶提供一站式解決方案。

華興激光銷售總監孫增輝博士(右)與訊石合影

  江蘇華興激光科技有限公司創立于2016年2月,是一家專業從事半導體外延片研發、生產與加工服務的國家高新技術企業,主要采用金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)和電子束/全息光刻技術,制備以砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)為基底的III-V族化合物半導體外延片。

  公司位于江蘇省邳州市經濟開發區,占地30畝,建筑面積2.3萬平方米,其中超凈車間面積近5000平方米,擁有國際一流的化合物半導體材料生長和檢測設備平臺。技術團隊包括中國科學院院士、國家高層次人才計劃入選者、產業專家等資深光電從業人員,其中博士18人,掌握化合物半導體外延片設計與制備的核心技術,已獲得50余項國家專利。

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