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英特爾將投資超200億美元在美建設兩家芯片工廠

摘要:英特爾計劃在美國俄亥俄州建設兩家新的尖端芯片工廠

  ICC訊  全球芯片巨頭英特爾9月30日表示,計劃在美國俄亥俄州建設兩家新的尖端芯片工廠,投資額超200億美元(約合人民幣1460億元)。有分析人士指出,英特爾此次巨額投資跟美國1年前推出的《芯片與科學法案》有關,該公司可通過上述投資,獲得美國政府的半導體補貼資金。

  美國商務部近日也表示,已經有超過470家公司表示希望能獲得美國政府的半導體補貼資金。去年8月份,美國總統拜登簽署《芯片與科學法案》,通過巨額產業補貼和遏制競爭的霸道條款推動芯片制造回流本土。

  本周,英特爾位于愛爾蘭價值185 億美元的工廠采用極紫外線(EUV) 光刻機已經開始進行大量生產。

內容來自:集微網
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